时间: 2025-02-24 05:18:43 | 作者: 华体会app怎么样
快科技2月21日音讯，铠侠宣告了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，不管堆叠层数、存储密度、接口速率功能，都到达了新的高度。
铠侠新闪存选用CBA双晶圆键合技能，别离制作CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，实际上的意思便是学习的长江存储的Xtacking晶栈架构。
3D堆叠层数到达空前的332层，比照第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西数的218层。
得益于更多层的堆叠，存储密度声称提高59％，算下来约为每平方毫米36.4Gb，相同远远抢先友商，西数也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不过每平方毫米20Gb。
新闪存一起支撑Toggle DDR 6.0接口标准，传输速度高达4800MT/s，比前代提高33％，相同是新高，超过了美光、西数的3600MT/s。
此外，铠侠这次还加入了PI-LTT低功耗技能，输入功耗下降10％，输出功耗下降34％，能更好地满意AI技能需求。
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